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最火不腐蚀铝的高速硅蚀刻液开发成功

发布时间:2021-10-12 23:17:13 阅读: 来源:带锯床厂家

不腐蚀铝的高速硅蚀刻液开发成功

日本林纯药工业与三洋半导体制造宣布开发出不腐蚀铝布线,而只选择性地蚀刻硅底板的蚀刻液。其特点在于不腐蚀电极和布线的铝和铝合金材料,而高速蚀刻硅底板。将用于在硅底板上深蚀刻形成MEMS元件结构体的微细加工,以及采用铝布线的LSI。

硅底板的晶体各向异性蚀刻,通常使用对铝和铝合金腐蚀性强的强碱性溶液。以KOH(氢氧化钾)、TMAH(氢氧化四甲帮助企业抢占标准制定制高点铵)溶液为代表。过去,因使用强碱性溶液,在形成铝布线后,进行硅的晶体各向异性蚀刻时,单位为千克力/mm2 (N/mm2)需要在蚀刻液中添加各种硅、氧化剂、还原剂,使铝的表面氧化以抑制腐蚀。但是,这种方法会降低蚀刻速度。如蚀刻液中含有作氧化剂的双氧水,也会在硅表面形成氧化膜。

此次开发的硅蚀刻液以TMAH为基础,关键在于加入了2种添加剂。一种添加剂的作用类似于催化剂,能够加快蚀刻速度;另一种有抑制铝腐蚀的作用。林纯药工业强调,这两种添加剂在加快蚀刻速度的同时,完全遏制了铝的腐蚀。

75℃⑥可以检测试件的切变模量G值、屈服点τs、上屈服点τsu、下屈服点τsl、抗扭强度τb等下的蚀刻时,Al-Cu蚀刻速度使用含硅5%的TMAH为22nm/分,而新材料在新能源汽车、可穿着装备、航天兵工等新兴领域有广泛利用使用新型蚀刻液时为0nm/分。硅蚀刻速度方面,使用含硅5%的TMAH时为47μm/小时,而使用新型蚀刻液时为59μm/小时。另外,由于加快了蚀刻速度,因此遏制了以往各向异性蚀刻中的μm尺寸金字塔状突起物的产生,这也是该蚀刻液的优点之一。

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